产品简介

日本IAS 硅晶圆金属污染含量分析系统
硅晶圆金属污染含量分析的工具
Expert™ 包含了－系列VPD-ICPMSI联机型号， 按自动化和无人化操作的程度不同分为实验室型多功能的Expert Lab， 通用型Expert PS和前沿制程生产线专用型Expert FAB,不同型号均可与不同晶牌的ICPMS实现全自动联机运行。

日本IAS 硅晶圆金属污染含量分析系统

硅晶圆金属污染含量分析的工具

Expert™包含了－系列VPD-ICPMSI联机型号，按自动化和无人化操作的程度不同分为实验室型多功能的Expert Lab，通用型Expert PS和前沿制程生产线专用型Expert FAB,不同型号均可与不同晶牌的ICPMS实现全自动联机运行。

硅晶圆金属污染含量分析的工具

随着半导体IC的集成度和复杂性越来越高，目前已经达到7nm工艺，污操物控制对于IC生产良率的贡献也越来越大，12时晶圆也逐渐成为优良制程的主要选择，其可喜许的金属杂质浓度也越来越低，目前已趋近1E7-1E8原子／cm2。全自动晶圆表面气相分解技术（Vapor PhaseDecomposition,VPD),为优良半导体IC制程中进行晶圆金属杂质分析时的管理项目，过去所使用的全反射X射线荧光法（TRXRF）栓测也垣渐被ICPMS的ICPMS/MS技术所取代。过去采用的各种手工VPD操作步骤由于对操作者技能要求高，且不可避免带入人为污染，也逐渐被全自动技术取代，全自动VPDICPMS联机系统作为前沿技术成为IC优良制程的主要选择。日本IAS Inc.是专业的半导体污染物检测技术供应商，VPD-ICPMS,CSI-ICPMS和GED。

ICPMSI联机技术为其核心产品线。Expert™包含了－系列VPD-ICPMSI联机型号，按自动化和无人化操作的程度不同分为实验室型多功能的Expert Lab，通用型Expert PS和前沿制程生产线专用型Expert FAB,不同型号均可与不同晶牌的ICPMS实现全自动联机运行。

Expert™特点如下

HF嚣气（Vapor｝的生成方法

供给VPD处理童的HF蒸气的生成方法是使用PFA雾化器。过去使用的发泡法（Bubbling),存在着产生之蒸气中的HF浓度，会随时间变化的问题，而雾化法可使Hydrofluoric acid始终保持恒定

浓度，而且有较快的蚀刻速度。

晶圆载入机Load Port Expert TM的矗圄载入机，可适应300mm(12＂）FOUP&FOSB、200mm(8＂）SMIF以及提供150mm(6＂）或200mm(8＂）转接架。

双毒扫瞄管Dual scan nozzle

SiC晶圆等属于高亲水性晶圆，蚀刻后的常规。

Si晶圆表面会呈现粗糙，此外干式蚀刻后的晶圆上也可能有机物残留，以上各种晶圆的表面为亲水性，在扫描过程中扫描头很可能无法保持扫描液（Scan Solution），从而发生液体残留于晶圆表面回收率不佳之现象。

Expert™标准配置了特别的双套扫描管，在套管外层制造负压，将内层扫描液保持于内套管中，使液体不至于从套管泄漏；该设计可扫描亲水性晶圆，这是其他设计所办不到的。

日本IAS 硅晶圆金属污染含量分析系统安全规格Safety ceificate

Expert TM符合SEMl-S2及S8规格及欧规（CE Mark）。标准配备各种保险装置(Interlock）、漏水、漏气检测器，适用于安规严格之半导体工厂生产在钱。